时间：2025/9/7 18:55:53
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2SK974是一种N沟道MOS场效应晶体管（MOSFET），广泛用于低噪声高频放大电路中。该器件由日本东芝公司生产，常用于射频（RF）和中频（IF）信号放大器，具有良好的高频性能和低噪声特性，适用于各类通信设备、无线接收系统以及测试仪器。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：10mA
最大漏源电压（VDS）：15V
最大栅源电压（VGS）：±5V
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-92
增益带宽：100MHz（典型）
噪声系数：0.8dB（典型）
漏极截止电流（IDSS）：10μA（最大）
输入电容（Ciss）：4pF（典型）
2SK974是一款专为低噪声放大设计的高频MOSFET，其核心优势在于出色的噪声系数和稳定的高频性能。在高频工作条件下，该器件的噪声系数通常在0.8dB左右，这使其非常适用于前置放大器等对噪声要求极高的应用场景。此外，2SK974具备良好的增益带宽特性，可支持高达100MHz的信号放大任务，确保了在射频和中频范围内的信号完整性。
该晶体管采用TO-92封装，具备良好的热稳定性和机械强度，适用于各类通用高频放大电路设计。其漏极电流限制在10mA以内，适用于低功耗设计，同时栅源电压范围控制在±5V以内，有助于防止栅极过压损坏。
另一个显著特点是其输入电容较低，典型值为4pF，这有助于减少高频信号传输中的寄生效应，提升整体电路的响应速度和稳定性。此外，在各种工作条件下，漏极截止电流保持在极低水平（最大10μA），确保了器件在关闭状态下的高阻断能力，减少不必要的漏电流干扰。
2SK974广泛应用于各类高频信号放大电路中，尤其适合用作射频（RF）和中频（IF）前置放大器。它常见于无线通信设备、卫星接收器、CATV系统、测试仪器以及各类低噪声放大电路。由于其低噪声系数和高增益带宽，2SK974在FM接收器、无线麦克风系统和便携式通信设备中也具有良好的应用表现。
此外，该器件还可用于音频前置放大器、高精度传感器信号调理电路以及各类低功耗模拟电路设计。由于其封装小巧、性能稳定，因此在需要小型化设计和高性能的电路中也十分受欢迎。
BF245C, 2SK117, 2SK246, J310
