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2SK973STL 发布时间 时间:2025/9/7 14:24:27 查看 阅读:3

2SK973STL 是一种N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由东芝公司(Toshiba)制造。这款晶体管设计用于高频率、高速开关应用,具有较低的导通电阻和良好的热稳定性,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。2SK973STL采用SOT-23小外形封装,适合表面贴装技术(SMT),便于在紧凑型电子设备中使用。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):60V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):100mA
  功耗(Pd):200mW
  工作温度范围:-55°C至150°C
  存储温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOT-23
  导通电阻(Rds(on)):约3Ω(在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):约1.5nC
  输入电容(Ciss):约30pF

特性

2SK973STL的主要特性包括低导通电阻、高开关速度、良好的热稳定性和可靠性。由于其低Rds(on),该MOSFET在导通状态下可以提供较小的电压降,从而减少功率损耗并提高能效。此外,2SK973STL的栅极电荷较低,使得它在高频开关应用中表现出色,适用于需要快速切换的电路。该器件还具有良好的抗静电能力,能够在一定程度上防止静电损坏。
  该晶体管的SOT-23封装不仅节省空间,还具备良好的散热性能,适合用于便携式设备和高密度电路设计。其工作温度范围宽,能够在极端环境下稳定运行,适用于工业级和消费类电子设备。

应用

2SK973STL广泛应用于各种电子设备中,尤其是在需要高频率开关和低功耗设计的场景。典型应用包括小型电源管理电路、DC-DC转换器、负载开关、LED驱动电路、电池管理系统和信号切换电路。此外,它也可用于电机控制、继电器驱动和传感器接口电路中,适用于便携式设备、家用电器、办公自动化设备以及工业控制系统。

替代型号

2SK973, 2SK974, 2N7002, BSS138

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