2SK973STL 时间：2025/9/7 14:24:27 阅读：23

2SK973STL 是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝公司（Toshiba）制造。这款晶体管设计用于高频率、高速开关应用，具有较低的导通电阻和良好的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。2SK973STL采用SOT-23小外形封装，适合表面贴装技术（SMT），便于在紧凑型电子设备中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：60V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100mA
　　功耗（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23
　　导通电阻（Rds(on)）：约3Ω（在Vgs=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：约1.5nC
　　输入电容（Ciss）：约30pF

特性

2SK973STL的主要特性包括低导通电阻、高开关速度、良好的热稳定性和可靠性。由于其低Rds(on)，该MOSFET在导通状态下可以提供较小的电压降，从而减少功率损耗并提高能效。此外，2SK973STL的栅极电荷较低，使得它在高频开关应用中表现出色，适用于需要快速切换的电路。该器件还具有良好的抗静电能力，能够在一定程度上防止静电损坏。
　　该晶体管的SOT-23封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，适合用于便携式设备和高密度电路设计。其工作温度范围宽，能够在极端环境下稳定运行，适用于工业级和消费类电子设备。

应用

2SK973STL广泛应用于各种电子设备中，尤其是在需要高频率开关和低功耗设计的场景。典型应用包括小型电源管理电路、DC-DC转换器、负载开关、LED驱动电路、电池管理系统和信号切换电路。此外，它也可用于电机控制、继电器驱动和传感器接口电路中，适用于便携式设备、家用电器、办公自动化设备以及工业控制系统。