时间：2025/8/9 14:02:57
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2SK958是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于高功率和高频开关电路中。该器件以其高耐压、低导通电阻以及优良的开关特性而著称，适用于电源转换、电机控制和功率放大器等多种领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：900V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：1.5A
功率耗散（Pd）：50W
导通电阻（Rds(on)）：约2.2Ω（最大）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-92或类似的小型封装
2SK958具有出色的高压耐受能力，其漏源电压额定值高达900V，适合用于高压电路中。该器件的低导通电阻特性确保了在高电流条件下仍能保持较低的功耗，提高了系统的整体效率。此外，2SK958具备快速开关特性，能够在高频应用中表现出色，减少了开关损耗。其增强型设计意味着在栅极电压为零时，晶体管处于关闭状态，这有助于提高电路的安全性和稳定性。
在制造工艺方面，2SK958采用了先进的硅基技术，确保了器件的可靠性和耐用性。同时，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下正常运行，适应各种严苛的工作环境。由于其TO-92封装体积小巧，便于在各种电路板上安装和使用。
2SK958常用于电源开关电路、直流-直流转换器、逆变器以及电机驱动系统中。由于其高耐压特性，该器件也适用于需要隔离和高电压控制的电源管理应用。此外，在高频开关电源和节能照明系统中，2SK958的快速开关能力使其成为理想选择。在工业自动化和控制设备中，该MOSFET用于实现高效的功率控制和调节。
2SK1173, 2SK1332, 2SK2141
