时间：2025/8/9 14:09:04
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2SK956-01 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高频开关电路和小型电子设备中。这款晶体管具有低导通电阻、高频率响应和紧凑的封装设计，适合用于便携式设备、电源管理和信号放大等场景。其设计旨在提供高效的电能转换效率，同时减少电路的体积和重量。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：100mA（最大）
功耗（PD）：150mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
存储温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT-23（SC-59）
2SK956-01 MOSFET具有多个显著的电气和物理特性，使其适用于多种高频电子电路应用。首先，它的低导通电阻（RDS(on)）确保了在导通状态下较低的功率损耗，从而提高了整体电路的能效。该器件的典型导通电阻在栅极电压为10V时约为5Ω，这使得它在低电压应用中表现优异。
其次，2SK956-01具备良好的高频响应特性，能够在高频开关应用中保持稳定的工作状态。这对于射频（RF）电路和高速数字电路尤为重要，因为它能够减少信号失真并提高响应速度。
此外，该MOSFET采用了SOT-23（SC-59）封装，这种小型封装不仅节省空间，还便于在高密度PCB设计中使用。其紧凑的设计使得它成为便携式电子设备和微型电子系统的理想选择。
该器件的工作温度范围较宽，从-55°C到+150°C，能够适应各种恶劣的工作环境。这种温度稳定性使得2SK956-01可以在工业级和汽车电子应用中可靠运行。
最后，2SK956-01的栅极驱动电压范围较宽，最大栅源电压为±20V，这使得它在不同的电路设计中具有较高的灵活性。其低漏极电流（最大100mA）特性也适合用于低功耗应用。
2SK956-01 MOSFET广泛应用于多种电子设备和系统中，特别是在需要高效能和小尺寸设计的场合。其典型应用包括便携式电子设备的电源管理电路、高频信号放大器、低电压开关电路以及各种小型电子控制模块。
在电源管理方面，2SK956-01可用于DC-DC转换器和电压调节电路，其低导通电阻和高效能转换特性使其成为理想的选择。在射频和通信设备中，该MOSFET的高频响应特性可以用于射频信号的开关和放大，适用于无线通信模块和射频识别（RFID）系统。
此外，2SK956-01也常用于音频放大电路、传感器接口电路和微处理器外围电路。其紧凑的SOT-23封装设计使得它非常适合在高密度PCB布局中使用，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等现代电子产品。
在汽车电子系统中，2SK956-01的宽工作温度范围和高可靠性使其适用于车载电子控制单元（ECU）、车载娱乐系统和车载通信模块。
2SK1299-01, 2N3904, BC847, 2SK2545
