2SK935是一款由东芝(Toshiba)公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效率和快速开关性能的电子电路中。该器件采用先进的平面硅栅极工艺制造,具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性,适合在高功率密度设计中使用。2SK935通常封装于TO-220或TO-220FP等标准功率封装形式中,便于安装散热片以增强其热管理能力,适用于工业控制、消费类电子以及通信设备中的功率控制场合。
作为一款高压MOSFET,2SK935能够在较高的漏源电压下稳定工作,具备优异的雪崩能量承受能力,增强了其在瞬态负载或异常工作条件下的可靠性。此外,该器件还具有较低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss),有助于减少驱动损耗并提升整体系统效率。由于其优良的电气特性和稳健的设计,2SK935常被用于替代其他同类高压MOSFET产品,并在多种电源拓扑结构如反激式、正激式和半桥式变换器中发挥关键作用。
型号:2SK935
极性:N沟道
最大漏源电压(Vds):500 V
最大漏极电流(Id):7 A(连续)
脉冲漏极电流(Idm):28 A
最大功耗(Ptot):100 W
导通电阻(Rds(on)):典型值0.65 Ω(最大0.85 Ω)@ Vgs = 10 V
阈值电压(Vgs(th)):2.0 V ~ 4.0 V
栅极-源极电压范围(Vgs):±30 V
工作结温范围(Tj):-55 °C 至 +150 °C
存储温度范围(Tstg):-55 °C 至 +150 °C
输入电容(Ciss):典型值600 pF @ Vds = 25 V
输出电容(Coss):典型值120 pF
反向恢复时间(trr):典型值45 ns
2SK935具备多项优异的电气与物理特性,使其成为高压功率应用中的理想选择。首先,其高达500V的漏源击穿电压确保了在高电压环境下仍能保持稳定运行,适用于离线式开关电源设计,尤其是在AC-DC转换器中面对市电波动时表现出良好的耐受能力。其次,该器件的低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统的整体能效,这对于追求节能与小型化的现代电源设计尤为重要。
另一个重要特性是其较低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss),这使得驱动电路所需的驱动功率更小,能够兼容多种PWM控制器,并加快开关速度,从而减少开关损耗。这对于高频开关应用(如高频DC-DC变换器)尤为关键,有助于实现更高的开关频率和更小的磁性元件尺寸。
2SK935还具备出色的热性能和可靠性。其采用的TO-220封装具有良好的热传导路径,结合适当的散热措施可有效控制结温上升,延长器件寿命。同时,该MOSFET具备一定的雪崩能量耐受能力,在突发过压或感性负载切换时能提供一定程度的自我保护,提升了系统鲁棒性。
此外,该器件具有较宽的工作温度范围(-55°C至+150°C),可在严苛环境条件下稳定工作,适用于工业自动化、照明电源、适配器等多种应用场景。其阈值电压范围适中(2.0V~4.0V),既保证了足够的噪声裕度,又能在标准逻辑电平驱动下可靠开启,兼容性强。综合来看,2SK935以其高耐压、低损耗、快速开关和高可靠性等特点,成为众多工程师在中高功率开关电路设计中的首选器件之一。
2SK935广泛应用于各类中高功率开关电源系统中,尤其适用于需要高效、稳定和紧凑设计的电力电子设备。一个典型的应用场景是离线式反激变换器(Flyback Converter),在这种拓扑结构中,2SK935作为主开关管负责将交流输入整流后的高压直流电进行高频斩波,通过变压器实现电压隔离与变换,常见于手机充电器、笔记本电脑适配器和电视电源模块等消费类电子产品中。
此外,该器件也常用于正激式(Forward Converter)和半桥式(Half-Bridge)拓扑结构的开关电源中,特别是在工业电源和通信电源领域,因其高耐压和良好热稳定性而备受青睐。在DC-DC升压或降压转换器中,2SK935可用于高压侧开关,配合控制器实现精确的电压调节与负载响应。
在电机驱动应用中,2SK935可用于中小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中,作为上桥臂或下桥臂的开关元件,实现电机的正反转与调速功能。其快速开关特性有助于减少换相过程中的能量损耗,提高驱动效率。
另外,该器件还可用于LED驱动电源、电子镇流器、逆变器以及各种电池管理系统中的功率控制环节。由于其具备较强的抗浪涌能力和稳定的高温性能,即使在电网电压波动较大或环境温度较高的情况下也能保持可靠运行,因此也被广泛用于户外照明、工业照明和太阳能发电系统中。总之,2SK935凭借其多方面的优势,在电源管理、工业控制和消费电子等多个领域均展现出强大的适用性和可靠性。
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STP7NK50ZFP