类型：N沟道JFET
　　封装形式：SOT-23
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：-25V
　　最大功耗（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　跨导（Gm）：典型值45mS（在Vds=10V, Id=10mA条件下）
　　饱和漏极电流（Idss）：典型值为8mA至20mA（在Vds=10V, Vgs=0V条件下）
　　截止电压（Vgs(off)）：典型值-2.0V至-6.0V（当Id=50nA时）
　　输入电容（Ciss）：典型值约5pF
　　输出电容（Coss）：典型值约3pF
　　反向传输电容（Crss）：约1.5pF
　　噪声系数（NF）：典型值低于2dB（在1kHz频率下）

2SK931的核心优势在于其出色的低频噪声抑制能力和高输入阻抗特性，这使其成为音频前端放大电路中的理想选择。JFET器件本身由于栅极为反向偏置的PN结结构，其输入阻抗可达到10^9欧姆以上，远高于双极型晶体管，因此能够有效减少对前级信号源的负载效应，特别适用于高阻抗传感器或电容麦克风等弱信号采集场景。该器件的跨导参数经过优化设计，在典型工作点下保持较高且稳定的数值，有助于实现良好的增益一致性与信号线性放大。
　　另一个关键特性是其低噪声表现。2SK931在音频频段（尤其是1kHz附近）具有非常低的噪声系数，典型值低于2dB，这对于提高整个系统的信噪比至关重要。相比MOSFET，JFET在低频段的1/f噪声更小，更适合用于第一级放大，避免引入不必要的背景噪声。此外，由于其固有的平方律传输特性，2SK931在小信号放大时表现出良好的线性度，减少了谐波失真的产生，从而提升了音质还原能力。
　　该器件还具备较好的温度稳定性。由于JFET的阈值参数（如Idss和Vgs(off)）在批次间有一定的离散性，东芝在生产过程中对2SK931进行了筛选分档，确保同一型号产品在关键参数上具有一致性，便于电路设计与批量生产。同时，SOT-23封装不仅节省PCB空间，而且具有良好的散热性能，能够在有限功耗下维持稳定工作。尽管其最大功耗仅为200mW，但在大多数小信号应用中完全足够。
　　值得一提的是，2SK931的工作无需复杂的驱动电路，仅需简单的偏置电阻即可构成共源放大电路，降低了整体设计复杂度。它不需要像MOSFET那样担心栅极氧化层击穿问题，使用上更为安全可靠。此外，该器件对静电敏感度相对较低，相较于增强型MOSFET更容易操作和焊接，适合手工装配和维修环境。综合来看，2SK931凭借其低噪声、高输入阻抗、良好线性度及易于使用的优点，在模拟电路领域特别是高端音频设备中依然占据重要地位。

2SK931广泛应用于各类对信号质量和噪声水平有严格要求的模拟电子系统中。最常见的应用场景是音频前置放大器，尤其是在专业录音设备、话筒前置放大器（mic preamp）、吉他效果器和高保真音响系统中，作为第一级放大元件来提升微弱音频信号的同时尽可能减少噪声引入。由于其高输入阻抗特性，非常适合与高阻抗信号源（如动圈麦克风、压电拾音器或被动式乐器输出）直接耦合，避免信号衰减。
　　在测量仪器领域，2SK931也常用于精密信号调理电路中，例如示波器、频谱分析仪或数据采集系统的输入缓冲级。其低噪声和高线性度有助于保持原始信号的完整性，提高测试精度。此外，在一些低功耗便携式设备中，如助听器、无线麦克风发射模块或生物电信号采集装置（如心电图ECG前端），2SK931因其低功耗和小型封装而成为优选器件。
　　在运算放大器的设计中，2SK931有时被用作差分输入对管，特别是在分立元件搭建的高性能运放电路中，用来替代BJT以获得更高的输入阻抗和更低的输入偏置电流。这种架构常见于仪表放大器或低噪声直流放大器中。
　　此外，2SK931还可用于有源滤波器、振荡器以及射频小信号放大电路中，尤其是在VHF以下频段的小信号放大环节，其寄生电容较小，频率响应良好，能够支持数十兆赫兹范围内的信号处理。总之，凡是需要低噪声、高输入阻抗和良好线性放大的场合，2SK931都是一种可靠且成熟的选择。

2SK170, 2SK209, J201, BF862