2SK904是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器、音频放大器等电子电路中。该器件由东芝公司制造,具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性等优点。MOSFET器件的控制通过栅极电压实现,具有高输入阻抗,适合高频开关应用。2SK904通常采用TO-220或TO-3P封装形式,具有良好的散热能力。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏-源电压(VDS):500V
栅-源电压(VGS):±30V
漏极电流(ID):8A
导通电阻(RDS(on)):0.65Ω(最大)
功率耗散(PD):75W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-220、TO-3P
2SK904的主要特性包括其高耐压能力,漏-源电压可达500V,使其适用于高电压应用环境。其导通电阻较低,最大为0.65Ω,有助于减少功率损耗并提高效率。此外,该器件的漏极电流额定值为8A,适合中高功率的开关控制应用。2SK904的栅极驱动电压范围较宽,为±30V,提高了驱动电路的灵活性。该MOSFET具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,适用于要求较高的工业控制、电源转换及音频放大器设计。
在高频开关应用中,2SK904的响应速度快,能够有效降低开关损耗,提高系统整体效率。同时,该器件具有较高的可靠性,能够在恶劣环境中长时间稳定运行。此外,其封装形式(如TO-220或TO-3P)提供了良好的散热性能,适合高功率密度的设计需求。
2SK904常用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动电路、音频放大器、UPS系统以及各种高电压、中等功率的电子设备中。由于其高耐压和良好导通性能,2SK904特别适合用于需要高效能和稳定性的工业控制和电源管理系统。在音频放大器设计中,它可用于输出级,提供良好的功率放大能力。
2SK1332, 2SK1530, IRFBC40