2SK903 是一款由日本东芝公司(Toshiba)生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高频放大器、开关电源以及功率控制电路中。该器件采用TO-92封装,具有较高的开关速度和良好的热稳定性,适用于多种电子设备中的功率管理应用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):40V
栅源电压(VGS):±20V
漏极电流(ID):100mA
功耗(PD):300mW
工作温度范围:-55℃~+150℃
存储温度范围:-55℃~+150℃
封装类型:TO-92
2SK903 MOSFET具备以下几个显著特性:
首先,其高频响应能力使其在射频(RF)和高频放大电路中表现出色。由于MOSFET的结构特性,该器件在导通状态下的电阻较低,从而减少了导通损耗,提高了电路效率。
其次,2SK903 具有较快的开关速度,适用于高频开关电源和脉宽调制(PWM)控制电路,能够有效降低开关损耗并提高系统效率。
此外,该器件具有较高的热稳定性,能够在较高温度环境下稳定工作,适用于一些对散热要求较高的应用场景。
最后,TO-92封装使得该MOSFET体积小巧,便于在紧凑型电路设计中使用,同时也便于手工焊接和维护。
2SK903 MOSFET广泛应用于以下领域:
1. 高频放大器:由于其良好的高频特性,2SK903常用于射频信号放大器、振荡器以及其他高频电路中,适用于通信设备和测试仪器。
2. 开关电源:该MOSFET适用于低功率开关电源、DC-DC转换器和LED驱动电路,能够实现高效的能量转换。
3. 功率控制:在小型电子设备中,2SK903可用于电机控制、继电器驱动以及LED调光等功率控制应用。
4. 通用开关:由于其良好的开关特性,2SK903也适用于数字逻辑电路中的开关控制元件,如微控制器的外围电路。
2SK1058, 2SK2313, 2N7000