类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：150mA
　　最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：20V
　　耗散功率：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-92

2SK897具有多个显著特点，使其在众多MOSFET中脱颖而出。首先，其高耐压特性允许它在较高电压下工作，而不必担心击穿或损坏。其次，2SK897的最大漏极电流为150mA，这使其适合用于需要中等电流的应用，如小型开关电源和放大器电路。此外，该器件具有低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。其封装形式为TO-92，这是一种常见的低成本封装，适用于通孔安装，具有良好的散热性能。
　　在热管理方面，2SK897具有良好的热稳定性，可以在较高的温度环境下工作，而不影响其性能。其工作温度范围为-55°C至150°C，适合在各种工业环境和恶劣条件下使用。此外，该器件的栅极驱动特性也经过优化，能够在较低的栅极电压下实现完全导通，从而减少控制电路的复杂性和成本。由于其高可靠性，2SK897常用于汽车电子、消费电子和工业控制设备中。

2SK897通常用于各种电子电路中，尤其是在需要中等功率控制的场合。它适用于开关电路，如DC-DC转换器、电源管理和负载开关。此外，它也常用于放大电路，如音频放大器和信号放大器，以提高信号的幅度。在汽车电子领域，2SK897可用于车灯控制、电动机驱动和传感器接口电路。由于其封装形式简单且成本较低，它也广泛用于消费类电子产品，如家用电器、遥控器和玩具等。此外，该器件还可用于工业自动化设备、测量仪器和测试设备中，作为开关或调节元件。

2SK1058, 2SK1173, 2SK1298