您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 2SK879-Y

2SK879-Y 发布时间 时间:2025/5/10 9:57:05 查看 阅读:21

2SK879-Y 是一种N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于高频、高电压的开关电路中。该型号属于富士电机(Fuji Electric)生产的MOSFET系列,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。
  2SK879-Y主要用作射频功率放大器中的开关元件,适用于通信设备、雷达系统及工业高频加热等领域。

参数

最大漏源电压:1500V
  最大栅源电压:±30V
  最大漏极电流:-4A
  导通电阻:3.5Ω
  输入电容:120pF
  开关时间:ton=0.2μs, toff=0.1μs

特性

2SK879-Y具备出色的耐压能力,可承受高达1500V的漏源电压,这使其非常适合高压环境下的应用。同时,其低导通电阻减少了功率损耗,提高了整体效率。此外,器件的快速开关特性使得它在高频应用中表现优异,能够显著降低开关损耗。
  该器件采用TO-3金属封装形式,这种封装形式不仅提供了良好的散热性能,还增强了产品的机械强度。2SK879-Y的工作温度范围为-55℃至+150℃,能够在极端温度条件下保持稳定运行。

应用

2SK879-Y 主要应用于需要高压、高频特性的场合,如:
  1. 射频功率放大器,特别是在业余无线电通信设备中作为功率输出级。
  2. 高频逆变器和转换器,用于工业加热、焊接设备等。
  3. 雷达系统的发射机部分,提供高效的功率传输。
  4. 医疗设备中的高频电源单元。
  由于其高耐压和快速开关特性,2SK879-Y成为许多高要求应用的理想选择。

替代型号

2SK2916, IRFP250N

2SK879-Y推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价