2SK879-Y 时间：2025/5/10 9:57:05 阅读：28

2SK879-Y 是一种N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于高频、高电压的开关电路中。该型号属于富士电机（Fuji Electric）生产的MOSFET系列，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。
　　2SK879-Y主要用作射频功率放大器中的开关元件，适用于通信设备、雷达系统及工业高频加热等领域。

参数

最大漏源电压：1500V
　　最大栅源电压：±30V
　　最大漏极电流：-4A
　　导通电阻：3.5Ω
　　输入电容：120pF
　　开关时间：ton=0.2μs, toff=0.1μs

特性

2SK879-Y具备出色的耐压能力，可承受高达1500V的漏源电压，这使其非常适合高压环境下的应用。同时，其低导通电阻减少了功率损耗，提高了整体效率。此外，器件的快速开关特性使得它在高频应用中表现优异，能够显著降低开关损耗。
　　该器件采用TO-3金属封装形式，这种封装形式不仅提供了良好的散热性能，还增强了产品的机械强度。2SK879-Y的工作温度范围为-55℃至+150℃，能够在极端温度条件下保持稳定运行。

应用

2SK879-Y 主要应用于需要高压、高频特性的场合，如：
　　1. 射频功率放大器，特别是在业余无线电通信设备中作为功率输出级。
　　2. 高频逆变器和转换器，用于工业加热、焊接设备等。
　　3. 雷达系统的发射机部分，提供高效的功率传输。
　　4. 医疗设备中的高频电源单元。
　　由于其高耐压和快速开关特性，2SK879-Y成为许多高要求应用的理想选择。