2SK859 时间：2025/8/9 3:11:17 阅读：36

2SK859是一种N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高可靠性的电子设备中。该器件由东芝公司生产，适用于电源管理、开关电路、DC-DC转换器等应用。2SK859采用TO-220封装，具备良好的热稳定性和耐压能力，适合在较高功率环境下工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：10A
　　最大漏源电压：100V
　　最大栅源电压：20V
　　导通电阻：0.45Ω（典型值）
　　最大功耗：60W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

特性

2SK859具有低导通电阻的特点，这使其在高电流应用中表现出较低的功率损耗。同时，该器件的高耐压能力允许其在高压电路中使用而不会损坏。其TO-220封装形式提供了良好的散热性能，适合在需要长时间稳定运行的环境中使用。此外，2SK859具备快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高系统效率。由于其优良的热稳定性，该MOSFET能够在较宽的温度范围内可靠工作。
　　该器件的栅极驱动设计允许其与标准逻辑电路兼容，从而简化了控制电路的设计。2SK859还具备一定的抗过载能力，在短时间过载情况下能够保持稳定工作。由于其优良的性能指标，2SK859常被用于工业自动化设备、电源供应器、电池管理系统以及电机驱动电路中。