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2SK847 发布时间 时间:2025/9/29 14:21:44 查看 阅读:10

2SK847是一款由东芝(Toshiba)公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及其他需要高效率功率切换的电子设备中。该器件采用先进的平面硅栅极工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点,适合在中等功率范围内进行高效能的功率管理。2SK847通常封装于小型化的SOT-23或SOT-323封装中,便于在空间受限的PCB布局中使用,同时具备良好的散热性能。由于其优异的电气特性,该MOSFET在便携式电子产品、电池供电设备以及各类消费类电子设备中得到了广泛应用。该器件设计用于在低电压控制信号下实现高效的功率切换,能够与常见的逻辑电平(如3.3V或5V)兼容,从而简化驱动电路设计。此外,2SK847还具备较高的雪崩能量耐受能力,增强了其在实际应用中的可靠性和鲁棒性,尤其适用于存在感性负载或电压瞬变的场合。

参数

型号:2SK847
  极性:N沟道
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):100mA(@25℃)
  脉冲漏极电流(Idm):400mA
  导通电阻(Rds(on)):典型值6.5Ω(@Vgs=10V)
  阈值电压(Vth):1.0V ~ 2.5V
  输入电容(Ciss):约9pF
  输出电容(Coss):约4pF
  反向传输电容(Crss):约1pF
  功耗(Pd):200mW
  工作结温范围(Tj):-55℃ ~ +150℃
  存储温度范围(Tstg):-55℃ ~ +150℃
  封装类型:SOT-23

特性

2SK847具备多项优异的电气与物理特性,使其在低功率MOSFET市场中占据重要地位。首先,其低导通电阻(Rds(on))确保了在导通状态下的功耗最小化,从而提高了整体系统的能效。这对于电池供电设备尤为重要,因为降低导通损耗可以直接延长电池使用寿命。其次,该器件的阈值电压范围适中(1.0V ~ 2.5V),使其能够在低电压逻辑信号下可靠地开启,兼容现代微控制器和数字逻辑电路的输出电平,无需额外的电平转换电路即可直接驱动。
  此外,2SK847具有快速的开关响应能力,得益于其较小的栅极电荷和低输入/输出电容,使得其在高频开关应用中表现出色。这使其非常适合用于DC-DC升压或降压转换器、LED驱动电路以及小功率电源管理系统中。其高频特性有助于减小外围无源元件(如电感和电容)的尺寸,从而实现更紧凑的电路设计。
  在可靠性方面,2SK847采用了坚固的硅栅极结构和优化的芯片设计,具备良好的热稳定性和抗静电能力(ESD protection)。其额定工作结温可达+150℃,表明其在高温环境下仍能保持稳定的性能表现。同时,该器件具有一定的雪崩耐量,能够在突发的电压过冲或感性负载关断时吸收一定的能量而不致损坏,提升了系统在异常工况下的安全性。
  封装方面,SOT-23小型表面贴装封装不仅节省PCB空间,还具备良好的散热性能和焊接可靠性,适用于自动化贴片生产线,有利于大规模生产。此外,该封装形式符合RoHS环保标准,满足现代电子产品对绿色环保的要求。

应用

2SK847广泛应用于多种低功率电子系统中,尤其适用于需要高效率、小尺寸和低成本解决方案的设计场景。其典型应用之一是作为开关电源中的同步整流器或主开关元件,特别是在便携式设备的DC-DC转换器中,用于实现高效的电压调节。例如,在手机、平板电脑、可穿戴设备等产品中,2SK847可用于升压型(Boost)或降压型(Buck)转换器中,以提高电源转换效率并延长电池续航时间。
  另一个重要应用是在LED驱动电路中,作为恒流源的开关控制元件。由于其快速的开关特性和低导通电阻,能够有效减少功率损耗,提升LED照明系统的整体效能。此外,在电池管理系统中,该MOSFET可用于电池充放电控制、过流保护和负载开关等功能模块,实现对电池的安全管理和高效利用。
  在微控制器I/O扩展或继电器驱动电路中,2SK847也常被用作低侧开关,用于控制电机、电磁阀或其他执行机构的通断。其低阈值电压特性使其能够直接由MCU的GPIO引脚驱动,简化了驱动电路设计。此外,该器件还可用于信号切换、电源多路复用、热插拔控制等应用场景,展现出良好的通用性和灵活性。
  由于其小型封装和高可靠性,2SK847也常见于工业传感器、通信模块、智能家居设备和物联网终端等对空间和功耗敏感的应用中。总之,凡是需要在低电压、小电流条件下实现高效功率切换的场合,2SK847都是一个理想的选择。

替代型号

2SK1762, 2SK2353, BSS138, 2N7002, FDN302P

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