2SK726 时间：2025/8/9 13:52:43 阅读：16

2SK726是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效能功率开关的电子设备中。这款MOSFET以其高耐压、大电流能力和低导通电阻而闻名，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及电池管理系统等领域。2SK726采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适合在高功率密度应用中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：15A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.045Ω（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

2SK726的核心特性之一是其低导通电阻，这使得该器件在工作时能够显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。由于其低RDS(on)，2SK726在高电流应用中表现出色，同时减少了热量的产生，有助于提升系统的稳定性和可靠性。
　　此外，2SK726具备较高的最大漏源电压（60V），使其能够适应各种中高功率的应用场景，如开关电源和DC-DC转换器。器件的栅极驱动电压范围为±20V，允许使用标准的12V或15V电源进行驱动，便于集成到各种电路设计中。
　　该MOSFET还具有快速开关能力，能够有效减少开关损耗，提高系统的工作频率。这种特性在高频电源转换器中尤为重要，因为它可以减少外部滤波元件的尺寸，从而实现更紧凑的设计。
　　在散热方面，TO-220封装为2SK726提供了良好的热管理能力，确保其在高功率负载下仍能保持稳定的工作温度。这种封装形式也便于安装在散热片上，以进一步提升散热效率。
　　2SK726还具备较强的抗过载能力，在短时间内能够承受超过额定值的电流冲击，这使得它在电机驱动或电池充电等瞬态负载较高的应用中表现出色。

应用

2SK726被广泛应用于多个领域，尤其是在需要高效功率控制的场合。例如，在开关电源（SMPS）设计中，该MOSFET可以作为主开关器件，用于高效地将输入电压转换为所需的输出电压。在DC-DC转换器中，2SK726可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，实现高效的电压转换。
　　该器件也常用于电机控制电路中，作为功率开关控制直流电机的运行状态，包括启动、停止和速度调节等。由于其具备良好的过载承受能力，因此在电机启动瞬间产生的大电流冲击下仍能保持稳定工作。
　　在电池管理系统（BMS）中，2SK726可用于电池充放电控制，实现对电池组的高效管理。此外，它还适用于逆变器、UPS（不间断电源）、LED驱动器等高功率电子设备中。