时间：2025/6/21 4:02:00
阅读：3
2SK690-Q-TW是一种N沟道MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、音频放大器、电机驱动等场景。该器件采用了TO-3P封装形式，具备较高的电流承载能力和耐压性能。其特点是低导通电阻和快速的开关速度，能够满足多种功率转换需求。
最大漏源电压：70V
最大栅源电压：±20V
漏极电流（连续）：40A
漏极电流（脉冲）：100A
导通电阻：0.018Ω
输入电容：440pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
2SK690-Q-TW具有以下显著特性：
1. 高电流处理能力，适合大功率应用。
2. 极低的导通电阻，减少功率损耗。
3. 快速开关特性，有助于提高系统效率。
4. 耐热性良好，能够在极端温度条件下稳定运行。
5. 封装坚固耐用，便于散热设计。
该器件适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 音频功放电路中的输出级驱动。
3. 电机控制和逆变器应用。
4. 各类工业自动化设备中的功率调节。
5. 充电器及电池管理系统中的电流控制元件。
2SK690B, IRFZ44N, FQP50N06L
