时间：2025/8/18 6:27:57
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2SK613-3 是一款由日本东芝公司（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、音频放大器、DC-DC转换器等电子设备中。该晶体管具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于中功率开关和放大电路。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：900V
最大漏极电流（ID）：15A
最大导通电阻（RDS(on)）：0.55Ω
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V～4V
最大耗散功率（PD）：150W
工作温度范围：-55℃～+150℃
2SK613-3 MOSFET 具备一系列优良的电气和机械特性，使其在各种电子电路中表现出色。
首先，其最大漏源电压（VDS）可达900V，具备较高的电压耐受能力，适合用于高电压应用，如开关电源和高压DC-DC转换器。此外，最大漏极电流为15A，能够在较高电流下稳定运行，适用于中等功率的开关控制和功率放大电路。
其次，该器件的导通电阻（RDS(on)）为0.55Ω，虽然不是当前市场上最低的，但在同类器件中表现良好，有助于降低导通损耗，提高整体能效。同时，其栅极阈值电压范围为2V～4V，适配多种驱动电路，便于集成设计。
2SK613-3 MOSFET 主要应用于以下领域：
在开关电源领域，该器件常用于AC-DC转换器、DC-DC转换器以及高频电源模块，其高耐压和较大电流能力使其在高压电源系统中表现优异。
2SK1530, 2SK2141, 2SK1058
