类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：900V
　　最大漏极电流（Id）：150mA
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：约10Ω（典型值）
　　耗散功率（Pd）：400mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-92

2SK582 MOSFET具备多项优良特性，适用于多种电子电路设计。
　　首先，其高耐压能力（最大漏源电压可达900V）使其适用于高电压环境下的开关控制和放大应用，尤其适合用于开关电源（SMPS）中的初级侧开关元件或高压侧驱动电路。
　　其次，2SK582采用了TO-92小型封装，便于安装和散热管理，同时具备良好的热稳定性，可以在高温环境下稳定运行。
　　此外，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提高能效。其栅极驱动电压范围较宽，兼容多种控制电路，简化了驱动设计。
　　在高频应用中，2SK582表现出良好的开关性能，具有较快的上升和下降时间，适用于高频放大器和脉宽调制（PWM）电路。其低漏电流特性也保证了在关断状态下的稳定性，降低了静态功耗。
　　综合来看，2SK582是一款性能稳定、可靠性高的MOSFET器件，适用于广泛的中低功率电子系统设计。

2SK582 MOSFET广泛应用于多个电子领域。在电源管理方面，常用于开关电源、DC-DC转换器和LED驱动电路中作为开关元件；在放大器电路中，可作为高频信号放大器使用，适用于音频和射频前端设计；在工业控制领域，可用于继电器驱动、电机控制和传感器信号处理等场景；此外，该器件也常见于消费类电子产品、家电控制电路以及汽车电子系统中。

2SK1058, 2SK2466, 2SK2095