2SK566 时间：2025/8/9 11:36:16 阅读：17

2SK566是一种N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率、高频率开关性能的电子电路中。该器件采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、马达控制及开关电源等领域。2SK566具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　封装：TO-220
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：8A
　　功耗（PD）：40W
　　导通电阻（RDS(on)）：1.0Ω
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

2SK566具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可降低导通状态下的功率损耗，提高整体系统的能效。其次，该器件具备较高的耐压能力，漏源电压（VDS）可达500V，使其适用于高压应用场景。
　　此外，2SK566的连续漏极电流为8A，能够在高负载条件下稳定工作，适用于需要大电流输出的功率电路。同时，TO-220封装提供了良好的散热能力，确保器件在高功耗环境下不会因温度过高而损坏。
　　该MOSFET还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）和逆变器系统。其栅极驱动特性也较为稳定，栅源电压范围为±30V，可在不同控制电路中灵活使用。
　　最后，2SK566的高可靠性使其成为工业自动化、家电控制、电力电子设备等领域的理想选择。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适应性强，能够在极端温度条件下正常运行。