时间：2025/9/7 18:21:13
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2SK560 是一款由东芝（Toshiba）公司制造的N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及各类功率控制电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压以及快速开关特性，适用于中高功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压(Vds)：60V
最大栅极电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：15A
最大功耗(Pd)：50W
导通电阻(Rds(on))：最大60mΩ（典型值约45mΩ）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220AB
2SK560 具有多个优异的电气和物理特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。在高频开关应用中，该特性尤为重要，有助于实现更高的能效转换。此外，该MOSFET的漏极-源极耐压为60V，能够满足多数中低压功率转换电路的需求，如开关电源和DC-DC变换器。
其次，2SK560 具有较高的最大连续漏极电流（15A），使其适用于中高功率负载的控制。结合其低导通电阻，该器件能够在高电流条件下保持较低的温升，增强了系统的稳定性和可靠性。
2SK560 主要应用于各种功率电子设备中，尤其是在需要高效率、高稳定性的电源管理系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、逆变器、电池管理系统（BMS）以及各类工业自动化控制设备中的功率开关部分。
2SK560 的功能和性能可由其他一些MOSFET型号替代，例如：2SK563、2SK564、IRFZ44N、IRF540、FDP5N50、STP15NF06L 等。这些型号在不同的工作条件下可以作为替代品使用，但需根据具体电路设计和散热要求进行选择。
