类型：N沟道JFET
　　漏极电流（ID）：最大30mA
　　漏源击穿电压（BVDSS）：25V
　　栅源击穿电压（BVGSS）：-25V
　　跨导（gm）：典型值为3.5mS
　　输入电容（Ciss）：约7pF
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-72金属封装

2SK54-C的主要特性之一是其低噪声性能，这使其成为音频前置放大器、麦克风放大器以及其他需要高信噪比的应用中的理想选择。其N沟道JFET结构提供了良好的线性度和低失真特性，有助于保持信号的完整性。此外，该器件具有较高的跨导值，可以提供较好的电压增益能力，同时输入电容较低，有助于在高频条件下保持良好的性能。
　　另一个显著特点是其稳定性和可靠性。由于采用金属封装，2SK54-C在高温环境下具有良好的散热性能，能够承受较大的工作电流波动，并保持稳定的电气特性。此外，其栅极结构设计确保了良好的热稳定性和长期工作的可靠性，适用于要求高稳定性的工业和音频设备。
　　该器件的电气参数也较为优秀，漏源击穿电压为25V，能够在较宽的电压范围内工作，同时栅源击穿电压为-25V，保证了器件在负偏置条件下的稳定性。最大漏极电流可达30mA，适用于中等功率的模拟信号处理应用。

2SK54-C通常应用于需要低噪声和高稳定性的模拟电路中。最常见的用途是作为音频前置放大器，尤其是在高质量音频设备如麦克风前置放大器、音频混音器和高保真音响系统中。其低噪声系数和高线性度使得它非常适合处理微弱的音频信号，以确保信号的清晰度和保真度。
　　此外，该器件也被广泛用于射频（RF）信号放大和混频电路中，特别是在低频到中频范围内。由于其输入电容较小，2SK54-C可以在高频条件下保持良好的输入阻抗匹配，从而减少信号损失并提高整体系统性能。
　　除了音频和射频应用外，该JFET还可用于电压控制电阻电路、模拟开关、信号调节电路以及各种需要高稳定性和低噪声的模拟电子系统中。

2SK117, 2SK170, BF245C