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2SK494-E 发布时间 时间:2025/9/7 0:38:52 查看 阅读:9

2SK494-E是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由东芝(Toshiba)生产,适用于高频和低功耗应用。这款晶体管以其优良的开关特性和低导通电阻著称,广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种高频电子电路中。其封装形式通常为TO-92,适合印刷电路板(PCB)的紧凑设计。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(VDS):500V
  最大漏极电流(ID):8mA(在VDS=50V时)
  最大栅源电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):约150Ω(典型值)
  最大耗散功率(PD):400mW
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-92

特性

2SK494-E具备优异的高频性能和低导通损耗,适用于需要快速开关的应用场景。其高耐压特性使其在高压电路中表现稳定,同时具备良好的热稳定性和可靠性。此外,该器件的封装形式小巧,便于集成在空间受限的设计中,同时确保了良好的散热性能。栅极驱动要求较低,有助于降低整体功耗并提升能效。

应用

2SK494-E主要用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制电路、高频逆变器以及各种小型电子设备中的功率控制。由于其高耐压能力和紧凑封装,它也常用于消费电子、工业自动化和汽车电子系统中的电源管理部分。

替代型号

2SK1058, 2SK2466

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