时间：2025/9/7 0:38:52
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2SK494-E是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝（Toshiba）生产，适用于高频和低功耗应用。这款晶体管以其优良的开关特性和低导通电阻著称，广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种高频电子电路中。其封装形式通常为TO-92，适合印刷电路板（PCB）的紧凑设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：500V
最大漏极电流（ID）：8mA（在VDS=50V时）
最大栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：约150Ω（典型值）
最大耗散功率（PD）：400mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-92
2SK494-E具备优异的高频性能和低导通损耗，适用于需要快速开关的应用场景。其高耐压特性使其在高压电路中表现稳定，同时具备良好的热稳定性和可靠性。此外，该器件的封装形式小巧，便于集成在空间受限的设计中，同时确保了良好的散热性能。栅极驱动要求较低，有助于降低整体功耗并提升能效。
2SK494-E主要用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制电路、高频逆变器以及各种小型电子设备中的功率控制。由于其高耐压能力和紧凑封装，它也常用于消费电子、工业自动化和汽车电子系统中的电源管理部分。
2SK1058, 2SK2466
