类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-89
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：1.5A（@ Ta=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：6A
　　功耗（Pd）：1.25W
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω（@ Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　输入电容（Ciss）：230pF（@ Vds=10V）
　　输出电容（Coss）：70pF（@ Vds=10V）
　　反向传输电容（Crss）：25pF（@ Vds=10V）
　　栅极电荷（Qg）：8nC（@ Vgs=10V）

2SK436具备多项优异的电气与热力学特性，使其在众多中小功率MOSFET中脱颖而出。首先，其60V的漏源击穿电压足以应对大多数开关电源和DC-DC变换器的工作需求，确保在瞬态电压波动时仍能维持稳定运行。其次，该器件的导通电阻仅为0.45Ω（在Vgs=10V条件下测得），这一低阻值有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源转换效率，尤其适用于电池供电设备以延长续航时间。
　　该MOSFET的阈值电压范围为1.0V至2.5V，表明其可在较低的栅极驱动电压下开启，兼容3.3V或5V逻辑电平控制信号，无需额外的电平转换电路，简化了驱动设计。此外，2SK436具有较高的输入阻抗和极低的栅极驱动电流需求，进一步减少了驱动电路的功耗负担。
　　在动态性能方面，2SK436表现出快速的开关速度，得益于其较小的输入电容（230pF）和较低的栅极电荷（8nC），使得器件在高频开关应用中具有出色的响应能力，能够支持数十kHz乃至上百kHz的开关频率，适用于高效同步整流或PWM调光等场景。
　　SOT-89封装不仅节省空间，还具备良好的散热能力，允许器件在较高环境温度下持续工作。其最大结温可达150℃，结合适当的PCB布局和散热设计，可实现长时间可靠运行。此外，该器件通过了严格的工业级可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）等，确保在恶劣工作环境下仍保持性能稳定。

2SK436广泛应用于多种中低功率电子系统中，尤其是在需要高效能开关控制的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、离线式反激电源等，作为主开关或同步整流开关使用，能够显著提升转换效率并减少发热。在DC-DC升压或降压转换器中，2SK436常用于Buck或Boost拓扑结构中作为功率开关，配合控制器实现稳定的电压输出。
　　在便携式电子设备中，例如智能手机、平板电脑、移动电源等，2SK436可用于电池管理系统的充放电控制、负载开关或电源路径管理，凭借其低静态功耗和快速响应能力，有助于优化整体能效。此外，在LED照明驱动电路中，该器件可用于恒流源的开关控制，实现高效的PWM调光功能。
　　工业控制领域中，2SK436也常见于小型电机驱动电路、电磁阀控制、继电器驱动等应用，作为功率开关元件替代机械继电器，提高系统响应速度和寿命。在消费类电子产品如电视、音响、路由器等设备的待机电源或辅助电源中，该MOSFET同样发挥着关键作用。由于其SOT-89封装易于自动化贴片生产，因此非常适合大规模量产的电子产品制造。

2SK435,2SK437,SI2302DS,FDG330N,FDS6670A