2SK435D 时间：2025/9/7 16:59:23 阅读：13

2SK435D是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝（Toshiba）生产。该器件设计用于高电流和高功率的应用，具有良好的热稳定性和低导通电阻特性。2SK435D广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器和各种功率电子设备中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：15A
　　漏极-源极电压（VDS）：60V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω（最大）
　　功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

2SK435D的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。这种特性使其在高负载条件下仍能保持较低的温升，从而提高系统的可靠性。
　　此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力，额定漏极电流为15A，适合需要高电流输出的应用。其60V的漏极-源极电压额定值使其能够在中等电压应用中稳定运行，如电池供电设备、电源转换器和电机控制电路。
　　2SK435D还具有良好的热稳定性，能够在较高的环境温度下工作。其50W的最大功耗允许在高功率应用中使用，而不会轻易出现过热问题。栅极-源极电压额定值为±20V，使其能够适应不同的驱动电路设计，并具有较强的抗过压能力。
　　该器件采用TO-220封装，便于安装和散热管理。这种封装形式在许多工业和消费类应用中都非常常见，具有良好的机械稳定性和散热性能。

应用

2SK435D适用于多种功率电子应用，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动电路。其高电流和中等电压能力使其成为电池管理系统中的理想选择，例如在便携式电子设备或电动车中使用。
　　在电源管理方面，该MOSFET可用于高效能的电源转换器，减少能量损耗并提高整体效率。此外，它还可以用于逆变器和UPS系统，以提供稳定的电力输出。
　　在电机控制应用中，2SK435D可用于H桥驱动电路，控制直流电机的转向和速度。其高电流承载能力和低导通电阻可确保电机在不同负载条件下都能稳定运行。
　　此外，该器件也适用于LED照明系统中的功率调节电路，确保恒定的电流输出，提高灯具的稳定性和寿命。