时间：2025/9/7 11:09:18
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2SK429-S 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频开关应用。该器件采用高密度单元设计，提供了低导通电阻（RDS(on)）和优异的高频特性，适用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电机控制等场景。2SK429-S 采用 TO-92 封装，便于散热并适用于紧凑型设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：150mA
最大漏源电压（VDS）：900V
最大栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为150Ω @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-92
2SK429-S MOSFET具备多项优异特性，首先，其高耐压能力（VDS=900V）使其适用于高电压应用场景，如高压开关电源和逆变器系统。其次，低导通电阻（RDS(on)）有效降低导通损耗，提高系统效率。
此外，该器件具备良好的高频响应特性，适合高频开关操作，有助于减小外部电感和电容的尺寸，从而提升整体系统功率密度。其TO-92封装形式具备良好的热稳定性，同时便于手工焊接和安装，适合小功率、高可靠性设计。
栅极驱动电压范围较宽（±30V），提高了驱动电路的兼容性，同时具备较高的抗干扰能力，有助于提高系统的稳定性和耐用性。由于其增强型特性，2SK429-S 在关断状态下具有极低的漏电流，从而降低了静态功耗，适用于对能效要求较高的应用。
2SK429-S 广泛应用于多种电源管理和控制电路中，其中最典型的应用包括小型开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器以及LED驱动电路。其高耐压和低导通电阻的特性也使其适用于高压电机控制和小型逆变器系统。
此外，该MOSFET也常用于工业自动化设备中的信号开关和继电器替代方案，以提高响应速度和可靠性。由于其高频性能优越，2SK429-S 也被用于射频（RF）功率放大器的偏置控制电路和低功率高频变换器中。
在消费类电子产品中，2SK429-S 可用于便携设备中的电压调节模块、充电管理电路以及背光控制等应用，为小型化和高效能提供支持。
2SK428, 2SK170, 2N6781
