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2SK428 发布时间 时间:2025/9/7 18:27:10 查看 阅读:15

2SK428是一种N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),广泛用于功率放大、电源开关和高频率转换应用。它由东芝(Toshiba)公司制造,适用于需要高效能和稳定性的电子电路设计。该晶体管采用TO-220封装,具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):15A
  漏-源极电压(VDS):500V
  栅-源极电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):约0.55Ω(典型值)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-220

特性

2SK428具有优异的开关性能和低导通电阻,这使得它在高频应用中表现出色。该器件的高耐压能力使其适用于高电压电源转换器和电机控制电路。此外,2SK428的热稳定性较好,可以在较高温度下工作而不会显著影响性能。它的栅极驱动要求较低,简化了驱动电路的设计。该MOSFET还具备较强的过载和瞬态电压承受能力,适合用于要求高可靠性的工业和消费类电子产品中。
  在设计方面,2SK428的封装形式(TO-220)便于安装和散热,适合用于需要良好热管理的场合。它的快速恢复时间使其在开关过程中能量损耗较低,有助于提高整体系统的效率。由于其高输入阻抗特性,2SK428在模拟和数字电路中均能提供出色的性能。

应用

2SK428通常用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器、马达驱动器和功率放大器等电路中。它在工业自动化、消费电子产品和汽车电子系统中都有广泛应用。例如,在电源管理模块中,2SK428可以用作主开关器件,实现高效的能量转换。在音频放大器设计中,它可以用于高功率输出级,提供清晰的音频信号放大。

替代型号

2SK1318, 2SK2545

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