型号：2SK4121LS
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：17A（@Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：70A
　　功耗（Pd）：60W（@Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：4.3mΩ（@Vgs=10V, Id=8.5A）
　　导通电阻（Rds(on)）：5.7mΩ（@Vgs=4.5V, Id=8.5A）
　　阈值电压（Vth）：1.0V～2.0V
　　输入电容（Ciss）：2620pF（@Vds=15V）
　　输出电容（Coss）：980pF（@Vds=15V）
　　反向传输电容（Crss）：140pF（@Vds=15V）
　　栅极电荷（Qg）：31nC（@Vgs=10V, Id=17A）
　　上升时间（tr）：18ns
　　下降时间（tf）：24ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C～+150°C
　　封装类型：SOP Advance (TSON Advance)

2SK4121LS的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时仅为4.3mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源转换效率，特别适用于大电流、低电压输出的应用场景，如笔记本电脑主板供电、服务器电源模块以及便携式充电设备中的同步整流电路。该器件的低Rds(on)得益于东芝先进的沟槽式硅栅极技术，该技术通过优化单元结构和掺杂分布，实现了更高的载流子迁移率和更均匀的电流分布，从而在不牺牲可靠性的前提下大幅降低导通阻抗。
　　另一个关键特性是其优异的开关性能。2SK4121LS具有较低的栅极电荷（Qg=31nC）和输出电容（Coss=980pF），这意味着在高频开关过程中所需的驱动能量较少，同时减少了开关延迟和能量损耗，有助于提升系统的工作频率并减小外围滤波元件的尺寸。这对于追求高功率密度的设计至关重要，例如在多相VRM（电压调节模块）或POL（点负载）转换器中，能够有效降低整体温升并提高动态响应能力。
　　此外，该MOSFET具备出色的热性能和机械稳定性。其采用的TSON Advance封装具有较大的裸露焊盘，可通过PCB上的散热焊盘实现高效的热传导，典型热阻Rth(j-c)低至2.5°C/W，确保在高负载条件下也能维持较低的结温。这种封装形式还增强了器件对热循环应力的耐受能力，提升了长期工作的可靠性。同时，2SK4121LS内置的体二极管具有快速恢复特性，能够在同步整流或感性负载关断时提供有效的续流路径，减少电压尖峰和电磁干扰（EMI）。
　　最后，该器件具备良好的栅极氧化层可靠性，能够承受±20V的栅源电压，提供了足够的驱动裕度，避免因驱动信号波动导致的误触发或击穿风险。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其适用于工业级和汽车级应用场景，在高温环境下依然保持稳定的电气性能。综合来看，2SK4121LS是一款集低导通损耗、高开关速度、优良热管理和高可靠性于一体的高性能N沟道MOSFET，非常适合用于现代高效能电源系统设计。

2SK4121LS广泛应用于各类需要高效功率转换的电子设备中。典型应用场景包括：开关模式电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、电机驱动控制器、LED驱动电源、笔记本电脑和台式机的电压调节模块（VRM）、电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关、便携式电子设备的电源管理单元（PMU），以及太阳能逆变器和UPS不间断电源中的功率级开关。由于其高电流承载能力和低导通电阻，该器件特别适用于多相供电架构中的下管或上管配置，能够在高频率下实现高效能的能量传输。此外，其小型化封装也使其成为空间受限应用的理想选择，如超薄显示器、移动基站电源模块和车载信息娱乐系统电源设计。

TPSMB30A
　　SI4336BDY-T1-GE3
　　FDS6680A