型号：2SK4068-01
　　制造商：Toshiba
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大持续漏极电流（ID）：17A（在TC=25°C时）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：70A
　　最大功耗（PD）：2.5W（在TA=25°C时）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值9.5mΩ（在VGS=10V，ID=8.5A时）
　　阈值电压（Vth）：典型值1.2V，范围1.0～2.0V
　　栅极电荷（Qg）：典型值18nC（在VDS=15V，ID=8.5A时）
　　输入电容（Ciss）：典型值1200pF（在VDS=15V，VGS=0V，f=1MHz时）
　　输出电容（Coss）：典型值350pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值15ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOP

2SK4068-01采用了东芝先进的沟槽结构硅栅极技术，这种结构通过优化芯片内部的电场分布，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗。该器件在VGS=10V、ID=8.5A的工作条件下，RDS(on)的典型值仅为9.5mΩ，这一低阻特性使其非常适合大电流应用场景，如同步整流和负载开关。同时，由于RDS(on)随温度变化较小，器件在整个工作温度范围内都能保持稳定的性能表现。
　　该MOSFET具备优异的开关特性，其栅极电荷（Qg）典型值为18nC，在高频开关电路中能够有效减少驱动损耗，提升系统效率。低输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）进一步降低了开关过程中的能量损耗，尤其在硬开关拓扑结构中表现突出。此外，器件的反向恢复时间（trr）仅为15ns，配合体二极管的快速恢复能力，可有效抑制开关瞬态过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高系统的可靠性和稳定性。
　　2SK4068-01采用SOP小型化封装，不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，适用于高密度组装环境。该封装符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造要求。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保其在恶劣环境或长时间高负荷运行下仍能保持稳定工作。内置的静电放电（ESD）保护结构也增强了器件的抗干扰能力和现场操作安全性。

2SK4068-01广泛应用于各类需要高效能功率开关的电子系统中。其主要应用领域包括便携式电子设备的电源管理系统，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的DC-DC降压或升压转换器。在这些应用中，该MOSFET常被用作同步整流器或主开关元件，以实现高转换效率和低待机功耗。
　　在通信设备中，2SK4068-01可用于基站电源模块、光模块供电电路以及服务器电源单元，凭借其低导通电阻和快速开关特性，有效提升电源响应速度和能效比。此外，在电池管理系统（BMS）中，该器件可作为充放电控制开关，实现对锂电池组的安全管理和能量优化调度。
　　工业控制领域也是其重要应用场景之一，如PLC控制器、电机驱动器和工业电源模块等。在这些环境中，2SK4068-01的高电流承载能力和良好的热稳定性保障了系统长期运行的可靠性。同时，它也被用于LED照明驱动电路、逆变器和UPS不间断电源系统中，作为核心功率开关元件发挥关键作用。

TPSMB30A
　　SI4406DY-T1-GE3
　　FDS6680A