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2SK4059MFV-A 发布时间 时间:2025/4/29 13:23:30 查看 阅读:2

2SK4059MFV-A 是一款由松下(Panasonic)生产的N沟道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的耐热性能,适合用于高频开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场合。
  其封装形式为TO-220F,具备良好的散热性能,适用于大功率应用环境。

参数

最大漏源电压:100V
  最大栅源电压:±20V
  最大漏极电流:78A
  导通电阻:2.6mΩ
  总功耗:300W
  结温范围:-55℃至+175℃
  存储温度范围:-55℃至+175℃

特性

2SK4059MFV-A 的主要特点是低导通电阻,仅为2.6mΩ,这使其在大电流应用中能够显著降低导通损耗。同时,该器件具有快速开关能力,可有效减少开关损耗,提高整体效率。
  此外,它还具有出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持可靠的性能。该产品内置了过热保护功能,当芯片温度超过安全阈值时,可以自动降低输出电流以防止损坏。
  它的封装形式TO-220F带有隔离层,能够提供额外的电气绝缘性能,非常适合工业级应用。

应用

2SK4059MFV-A 广泛应用于各种功率转换场景,包括但不限于:
  - 开关模式电源(SMPS)
  - 电机驱动与控制
  - 太阳能逆变器
  - 工业自动化设备中的功率管理模块
  - 电动汽车充电装置
  - 高效DC-DC转换器
  由于其卓越的性能和可靠性,该器件成为许多高性能功率系统的理想选择。

替代型号

2SK4059MFV, IRFP260N, FDP18N10E

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