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2SK4005 发布时间 时间:2025/8/9 19:02:15 查看 阅读:23

2SK4005是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道MOSFET晶体管,广泛应用于电源管理和功率放大电路中。该器件具有高耐压和低导通电阻的特点,适用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等应用领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电压(VDSS):60V
  最大漏极电流(ID):10A
  最大耗散功率(PD):30W
  导通电阻(RDS(ON)):0.38Ω(最大值,@ ID=5A, VGS=10V)
  栅极阈值电压(VGS(th)):1V ~ 2.5V
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C

特性

2SK4005 MOSFET具有低导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。
  其高耐压特性使其适用于多种中高功率应用场景。
  该器件采用TO-220封装,具备良好的散热性能,适用于需要高稳定性和可靠性的电路设计。
  此外,2SK4005的栅极驱动电压范围较宽,适合与多种控制电路配合使用,简化了驱动电路的设计难度。
  由于其较高的电流承载能力和相对较低的成本,2SK4005在工业控制、电源转换和汽车电子系统中得到了广泛应用。

应用

2SK4005主要用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动电路、负载开关、电池管理系统以及各种功率控制电路中。
  在音频放大器设计中,它也可用于功率输出级,提供较高的输出能力和稳定性。
  此外,该器件还可用于逆变器、UPS系统和电焊设备等高功率应用场合。

替代型号

2SK4006, 2SK4016, IRFZ44N

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