时间：2025/8/9 15:01:26
阅读：23
2SK3986-01MR 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，适用于高效率的电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供低导通电阻和高开关性能，适合用于如DC-DC转换器、电源适配器、电池充电器和照明系统等场合。其封装形式为SOT-227（也称为Mini-SIP）封装，具有良好的散热性能。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：150A
最大漏-源电压（VDS）：30V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大3.2mΩ（典型值2.7mΩ）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-227（Mini-SIP）
功率耗散（PD）：200W
2SK3986-01MR 具有多个优良的电气和物理特性，使其在高功率密度应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。其次，该MOSFET采用先进的沟槽式结构设计，优化了电场分布，提高了器件的稳定性和可靠性。
此外，2SK3986-01MR 的SOT-227封装具有良好的热管理和机械强度，能够在高电流和高温环境下稳定运行。其额定漏极电流高达150A，支持在高负载条件下持续工作。栅极驱动电压范围宽广，兼容标准的10V栅极驱动器，同时也支持逻辑电平驱动，适用于多种控制电路。
2SK3986-01MR 广泛应用于各类高功率电子设备中，例如：高效率的DC-DC转换器、电源适配器、不间断电源（UPS）、电池管理系统、电动工具和电动车辆的功率控制电路。此外，它也可用于LED照明驱动器、工业自动化设备和高功率负载开关控制等场景。其优异的导通特性和热稳定性使其成为高性能电源设计的理想选择。
SiR178DP-T1-GE3, IRFB4110PbF, IPB015N03LA, 2SK3986-01, 2SK3986-01R
