类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOP（表面贴装）
　　安装类型：表面贴装
　　引脚数：8

2SK3974-01L 具有低导通电阻的特点，使其在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。其导通电阻在10V栅极驱动电压下仅为5.5mΩ，这意味着在相同电流下，器件的功率损耗更小，发热量更低，从而提高了整体系统的可靠性和寿命。
　　此外，该MOSFET具有高电流承载能力，额定连续漏极电流为60A，适用于需要高功率输出的应用场景。同时，其最大漏源电压为20V，栅源电压范围为±12V，确保了在各种工作条件下的稳定运行。
　　2SK3974-01L 采用SOP封装，具有较小的体积和良好的热性能，便于在高密度PCB设计中使用。该封装形式也支持表面贴装技术，简化了制造流程并提高了生产效率。
　　该器件的工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，使其能够在极端环境条件下正常工作，适用于工业控制、汽车电子等对环境适应性要求较高的领域。

2SK3974-01L 主要应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统中。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高效能电源设计的理想选择，特别是在需要高效率和低发热的场合。
　　在电源管理方面，该MOSFET可用于同步整流、电压调节和电源分配系统，帮助提高整体系统的能效。在DC-DC转换器中，2SK3974-01L 的快速开关特性和低Rds(on)使其能够有效地进行能量转换，减少能量损耗。
　　此外，该器件还广泛应用于电机控制和负载开关电路中，用于实现对大电流负载的快速和可靠控制。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统等。

2SK3974-01L的替代型号包括2SK3974-01LR和2SK3974-01L-E