2SK3931-01 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频开关和高功率应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET制造技术,具有低导通电阻(Rds(on))和优异的热性能,适合用于电源转换器、DC-DC转换器、电机控制、照明设备等高效率功率系统。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):600V
最大漏极电流(Id):9A
导通电阻(Rds(on)):1.0Ω(最大)@ Vgs=10V
栅极阈值电压(Vgs(th)):2.0V ~ 4.0V
最大耗散功率(Pd):40W
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装形式:TO-220SIS(表面绝缘型)
2SK3931-01 具备多项优异的电气与热性能。首先,其600V的漏源击穿电压(Vds)使其适用于高电压应用场景,例如开关电源、LED照明驱动器和电机控制电路。其次,低导通电阻(Rds(on))有助于降低导通损耗,提高系统效率并减少散热需求。此外,该MOSFET采用TO-220SIS封装,具备良好的绝缘性能,增强了安全性,特别适用于需要与散热片电气隔离的设计。
该器件还具有快速开关特性,支持高频工作,从而减小外围电路中的电感和电容体积,提高整体系统的紧凑性。其栅极阈值电压较低(2.0V~4.0V),可与常见的逻辑电平驱动器兼容,简化控制电路设计。
在热性能方面,2SK3931-01 的封装结构具备较高的热导率,确保在高功率工作状态下仍能维持较低的结温,延长器件寿命并提高系统可靠性。这使得该MOSFET非常适合在高温环境下使用,如工业控制、车载电子系统和家用电器中的功率开关。
2SK3931-01 主要用于各种功率电子设备中,作为高效能的开关元件。其典型应用包括开关电源(SMPS)、LED驱动器、DC-DC转换器、逆变器、电机控制电路、照明系统以及工业自动化设备中的功率管理模块。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热管理能力,该MOSFET在高效率、高频率和高可靠性要求的应用中表现尤为出色。
2SK2545, 2SK1318, 2SK2999