时间：2025/8/8 21:28:12
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2SK3930-01SJ 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，适用于需要高效率和高性能的电源管理应用。该MOSFET采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于电源转换器、DC-DC转换器以及电机控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：110A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（最大值）
功耗（Pd）：180W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
2SK3930-01SJ 的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其高栅极电压容限（±20V）提供了更好的保护性能，防止过压损坏。该MOSFET采用高可靠性设计，能够在高温和高负载条件下稳定运行，具备优异的热稳定性和耐用性。此外，它的高开关速度使其非常适合高频应用，减少开关损耗，提高整体性能。
这款MOSFET还具有良好的封装设计，能够有效散热，从而延长器件的使用寿命。其封装形式为SMP（Surface Mount Package），适用于表面贴装工艺，简化了PCB设计并提高了生产效率。2SK3930-01SJ 的这些特性使其成为工业电源、电动汽车充电系统、太阳能逆变器和自动化设备等应用的理想选择。
2SK3930-01SJ 被广泛应用于各种电源管理系统和功率控制设备中。具体应用包括DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及工业自动化控制系统。由于其高效率和高可靠性，它也常用于需要高性能功率开关的消费电子和工业设备中。
SiHF110N60E、IRF1405、FDP110N60、2SK3930-01
