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2SK3927-01S 发布时间 时间:2025/8/9 9:23:45 查看 阅读:35

2SK3927-01S是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型MOSFET,广泛应用于高效率的开关电路中。这款MOSFET具有低导通电阻和高耐压特性,适合用于电源管理和DC-DC转换器等应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):10A
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(ON)):0.027Ω
  功率耗散(PD):50W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

2SK3927-01S MOSFET具有低导通电阻,使其在导通状态下损耗最小化,提高整体系统效率。
  该器件的高耐压特性使其适用于各种电源管理应用,包括DC-DC转换器和负载开关。
  其TO-252封装提供了良好的热性能,有助于散热,确保在高负载条件下稳定运行。
  此外,该MOSFET具有快速开关能力,减少了开关损耗,从而提高了系统的响应速度和能效。
  器件的栅极驱动电压范围较宽,允许在不同的驱动条件下稳定工作。

应用

2SK3927-01S MOSFET主要用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池供电设备等应用场景。
  它也常用于汽车电子系统、工业自动化和消费类电子产品中的高效能开关电路设计。
  由于其高可靠性和热稳定性,该器件在需要高功率密度和紧凑设计的应用中表现优异。
  在设计中使用2SK3927-01S可以实现高效的电源管理,同时减少电路的复杂性和元件数量。

替代型号

2SK3927-01S的替代型号包括2SK3927-01L、2SK3927-01S和2SK3927-01L。这些型号在参数和性能上与2SK3927-01S相似,可以作为备选方案使用。

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