时间：2025/8/9 4:30:25
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2SK3926 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频率开关和功率放大应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性，适用于DC-DC转换器、电源管理模块和高频开关电路等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极击穿电压：60V
栅极-源极电压范围：±20V
最大连续漏极电流：2A
导通电阻（Rds(on)）：1.8Ω @ Vgs=10V
功耗（PD）：20W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-92
2SK3926 MOSFET采用先进的硅栅极工艺制造，具备出色的导通特性和快速的开关响应。其低导通电阻有助于降低功耗，提高系统效率。该器件的封装设计紧凑，便于在PCB上布局，并具有良好的散热性能。此外，2SK3926还具备高耐压能力，可承受较高的电压应力，适用于各种中低功率的开关应用。
在可靠性方面，2SK3926通过了多项行业标准认证，确保在严苛环境下稳定运行。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V或12V驱动电路，便于与控制电路兼容。同时，其良好的热稳定性可有效防止温度升高导致的性能下降，从而延长使用寿命。
2SK3926的封装形式为TO-92，适合用于通孔安装（Through Hole），适用于多种电子设备的制造。该器件的引脚排列清晰，便于焊接和测试，适合批量生产和维修。此外，由于其广泛的适用性和良好的性价比，2SK3926广泛用于工业控制、消费电子和汽车电子等领域。
2SK3926 主要应用于DC-DC转换器、电源管理模块、电池充电电路、负载开关、高频开关电源、LED驱动器以及各种低功耗电源管理系统中。由于其优异的开关性能和稳定性，该MOSFET也常用于音频功率放大器和小型电机控制电路中。
2SK2313, 2SK3057, 2N7000
