时间：2025/8/9 12:05:36
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2SK3926-01MR 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET，常用于高频开关应用，具有低导通电阻和高速开关特性。
类型: N沟道增强型MOSFET
漏极电流（ID）: 100mA
漏极-源极击穿电压（VDS）: 30V
栅极-源极电压（VGS）: ±20V
导通电阻（RDS(ON))）: 最大1.2Ω（在VGS=10V时）
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
封装类型: SOT-23
2SK3926-01MR MOSFET采用了先进的沟槽技术，确保了较低的导通电阻，从而减少了功率损耗，提高了能效。
此外，该器件具备快速开关能力，适用于需要高频操作的电源管理和DC-DC转换器设计。
由于其紧凑的SOT-23封装，2SK3926-01MR非常适合用于空间受限的便携式设备和高密度电路板设计。
该器件还具备良好的热稳定性和高可靠性，适用于各种工业和消费类电子应用。
2SK3926-01MR MOSFET主要用于以下应用场景：
在DC-DC转换器中作为主开关器件，以实现高效的电压转换。
在负载开关和电源管理电路中用于控制电源的通断。
在LED驱动电路中用于调节电流和亮度。
在电池供电设备中用于低功耗控制和节能设计。
在各种小型电子设备中用于高频开关和信号处理。
2SK3926, 2SK3927, 2SK3925
