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2SK3922-01 发布时间 时间:2025/8/9 16:49:32 查看 阅读:7

2SK3922-01是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET,常用于高频率开关应用和电源管理领域。该器件采用了先进的沟槽式技术,具有低导通电阻、高电流能力和优异的热稳定性,适用于DC-DC转换器、负载开关、马达驱动和电池供电设备等多种应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):20V
  连续漏极电流(ID):10A
  脉冲漏极电流(IDM):40A
  导通电阻(RDS(on)):最大值为32mΩ(在VGS=10V时)
  封装形式:SOP Advance
  工作温度范围:-55°C至150°C
  栅极电荷(Qg):约25nC
  输入电容(Ciss):约1100pF

特性

2SK3922-01具有多项优良特性,使其适用于高效率、高频率的功率转换电路。首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了整体效率。其次,该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,使电流在导通状态下的损耗更低,同时具备更高的电流密度。此外,其高耐压特性(VDS为30V)使其适用于多种中低功率电源应用。
  该MOSFET的栅极驱动电压范围宽广,可在4.5V至20V之间正常工作,适合与多种类型的驱动IC配合使用。其SOP Advance封装不仅具有良好的散热性能,而且在PCB布局中占用空间较小,非常适合高密度设计。
  此外,2SK3922-01具有良好的热稳定性,能够在较高的工作温度下保持稳定的性能。这种特性使其在高温环境下仍能可靠运行,从而提高了系统的整体可靠性。

应用

2SK3922-01广泛应用于各种功率电子设备中,如DC-DC转换器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统(BMS)、电源管理单元(PMU)以及便携式电子设备的电源控制电路。由于其低导通电阻和高频特性,特别适合用于需要高效率和快速开关的场合。

替代型号

Si4410BDY、FDMS8880、NTMFS5C428NLT、AO4407、2SK3918

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