类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：60A
　　漏极-源极导通电阻（Rds(on)）：最大13.5mΩ（典型值10.5mΩ）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOP-J8

2SK3921-01S-TE24R具有低导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，从而提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围宽，支持4V至10V的栅极驱动，适用于多种控制电路设计。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和高频响应能力，适用于需要快速开关的应用场景。
　　其SOP-J8封装设计不仅节省空间，还具备良好的散热性能，能够在高功率密度环境中保持稳定运行。此外，该器件的封装材料符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品的设计需求。
　　该MOSFET还具备较高的短路耐受能力，可在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，提升了系统的可靠性。此外，其低电容特性（输入电容、输出电容和反向传输电容）有助于减少开关损耗，使其在高频应用中表现优异。

2SK3921-01S-TE24R适用于多种电源管理应用，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统。由于其低导通电阻和高电流能力，它特别适合用于高效率的电源模块设计。此外，该器件也广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备中的电源管理电路。
　　在服务器电源和通信设备中，该MOSFET可用于构建高效能的电源供应系统。在工业自动化和控制系统中，也可用于驱动电机、继电器和传感器等负载。此外，该器件还可用于LED照明驱动、无人机电源系统以及汽车电子中的辅助电源管理单元。

2SK3920-01S-TE24R, Si4410DY-T1-GE3, IRF6604, CSD17551Q5A