2SK3919-ZK 时间：2025/7/29 19:30:38 阅读：9

2SK3919-ZK 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET专为需要高效率和高可靠性的应用设计，适用于电源管理和功率转换系统。其采用了先进的沟槽技术，以提供较低的导通电阻和较高的电流处理能力，同时保持良好的热稳定性。该器件通常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统等领域。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：60A（在Tc=25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为5.7mΩ（在Vgs=10V时）
　　最大功耗(Pd)：130W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220AB
　　引脚数：3
　　漏极-源极击穿电压：30V

特性

2SK3919-ZK 采用先进的沟槽技术，使其具备非常低的导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。这种MOSFET能够在高电流条件下稳定工作，并且具备优良的热性能，确保在高功率应用中的可靠性。其TO-220AB封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和散热器的连接，适用于需要高功率密度的设计。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常在4.5V到20V之间，使其能够与多种驱动电路兼容。这种MOSFET的快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高系统效率。
　　该MOSFET的高电流处理能力和低导通电阻使其成为高性能电源管理应用的理想选择。此外，其耐久性和热稳定性也使它适合在严苛的工作环境中使用。

应用

2SK3919-ZK 主要应用于需要高效功率转换和管理的场合。它常用于DC-DC转换器，以实现高效率的能量转换。在同步整流器中，该MOSFET可以替代传统的二极管，从而减少导通压降和提高效率。由于其高电流处理能力和低导通电阻，该器件也广泛用于负载开关电路和电池管理系统中，以实现对高电流负载的有效控制。此外，该MOSFET还可用于电机控制、功率放大器和其他需要高功率密度和高可靠性的电子系统。