时间：2025/9/22 17:12:11
阅读：10
2SK3917是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率开关应用设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及电机控制等电子设备中。该器件采用先进的沟槽式场效应晶体管技术，具备低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和优良的热稳定性等特点，能够在高频率下稳定工作，有效降低系统功耗并提高整体能效。2SK3917通常封装于小型表面贴装封装（如SOP或SON封装），有助于节省PCB空间，适用于对尺寸和散热性能要求较高的紧凑型电子产品。其额定电压和电流参数适配多种中低压应用场景，是现代开关电源和便携式设备中常用的功率开关元件之一。
型号：2SK3917
极性：N沟道
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：5.5A（@Tc=70℃）
脉冲漏极电流（IDM）：22A
导通电阻（RDS(on)）：18mΩ（@VGS=10V, ID=2.7A）
阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
输入电容（Ciss）：670pF（@VDS=15V）
输出电容（Coss）：140pF（@VDS=15V）
反向传输电容（Crss）：40pF（@VDS=15V）
栅极电荷（Qg）：12nC（@VGS=10V）
功耗（PD）：2.5W（@Tc=70℃）
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
封装类型：SOP-8 或 SON-type package
2SK3917具备多项优异的电气与热性能，使其在中低电压功率开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为18mΩ，在VGS=10V条件下可显著减少导通状态下的功率损耗，提升电源转换效率，尤其适用于大电流输出的同步整流和负载开关电路。
其次，该MOSFET采用优化的沟槽结构设计，具有较快的开关速度，能够支持高频PWM控制，减少开关过渡时间，从而降低动态损耗，适用于高频率DC-DC变换器拓扑如Buck、Boost及SEPIC等。
此外，2SK3917的栅极电荷（Qg）较低（典型值12nC），意味着驱动电路所需的驱动能量较小，可以配合低功耗栅极驱动IC使用，进一步简化系统设计并降低整体功耗。
器件还具备良好的热稳定性，其最大功耗可达2.5W（在特定外壳温度下），结合小型化封装仍能保持可靠运行，适合在有限散热条件下工作的便携式设备。
输入、输出和反向传输电容均经过优化，有助于抑制噪声传播和米勒效应，提高抗干扰能力。
该器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，可在恶劣环境温度下稳定工作，增强了系统的环境适应性和长期可靠性。
同时，2SK3917符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于消费类电子、工业控制及汽车电子等多种领域。
2SK3917广泛应用于各类需要高效能、小体积功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式电子设备中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑和移动电源中的电池充放电控制与负载开关；在DC-DC降压或升压转换器中作为主开关或同步整流管使用，实现高效率电压转换；还可用于LED驱动电路、电机驱动器中的H桥或半桥拓扑结构，提供快速响应和低损耗控制；此外，在电源适配器、USB PD充电器、无线充电发射端以及小型逆变器等产品中也常被选用。由于其封装小型化且易于表面贴装，特别适合自动化生产流程，广泛服务于消费电子、通信设备、工业自动化和车载电子辅助系统等领域。
TPSMB30A, SI4336DDY-T1-GE3, FDS6680A, AO3400, BSS138
