时间：2025/8/9 13:09:12
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2SK3891-01R 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高频开关应用和电源管理领域。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、高耐压和优异的开关性能，适用于高效能、小尺寸的电源系统。此型号的封装为SOP（小外形封装），适合表面贴装工艺，适用于自动化生产。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：10A
功耗（PD）：3W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOP
导通电阻（RDS(ON)）：最大值为0.45Ω（典型值可能更低）
开启阈值电压（VGS(th)）：1V ~ 2.5V
2SK3891-01R 的主要特性包括低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其高耐压能力（60V VDS）使其适用于中等功率的DC-DC转换器、负载开关和马达驱动器等应用。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±20V），提高了在不同驱动条件下的兼容性与稳定性。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定运行，适合在恶劣工业环境中使用。SOP封装形式不仅节省空间，还具有良好的散热性能，支持高频开关操作，适用于高频电源转换器设计。
2SK3891-01R 主要应用于电源管理模块，如DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、马达控制电路以及各类工业自动化设备中的功率控制部分。其优异的开关性能和高耐压特性也使其适合在消费类电子产品和汽车电子系统中使用。
2SK3891, 2SK3891-01L
