时间：2025/8/9 7:22:05
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2SK3891-01 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频开关应用和高效率电源管理系统。这款MOSFET设计用于处理高电流和高电压，适用于如DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电源管理模块等场景。其封装形式为SOT-23，体积小巧，适合高密度PCB布局。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：20V
连续漏极电流（Id）：100mA
工作温度范围：-55°C 至 150°C
导通电阻（Rds(on)）：约3.5Ω @ Vgs=10V
功率耗散：200mW
封装类型：SOT-23
2SK3891-01 具备优异的开关性能和低导通电阻，这使得它在高频应用中表现出色，能够有效减少开关损耗并提高整体系统效率。
该器件的SOT-23封装不仅节省空间，而且便于在各种电路中进行安装和焊接，提高了设计的灵活性。
其高栅极击穿电压（Vgs为20V）提供了良好的抗静电能力和更宽的安全工作范围，增强了器件在恶劣环境下的可靠性。
此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在较高温度下稳定工作，确保在持续高负载条件下的性能一致性。
2SK3891-01的低漏电流特性也使其适用于低功耗设计，有助于延长便携设备的电池寿命。
2SK3891-01 常用于便携式电子设备中的电源管理，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。
它适用于DC-DC转换器电路，能够有效提升能量转换效率，降低发热问题。
该器件也常用于小型电机控制、LED驱动器以及负载开关应用，提供稳定的开关控制和过载保护功能。
此外，2SK3891-01还可用于逻辑接口电路和信号切换，满足高频信号处理的需求。
由于其优良的热特性和紧凑设计，该MOSFET也广泛应用于工业自动化设备和小型电源模块中。
2SK2997, 2SK3018, 2SK3429
