时间：2025/8/9 14:45:05
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2SK3876-01R是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，适用于高频率开关应用。这款MOSFET设计用于需要高效能和低导通电阻的应用场合，如电源管理、DC-DC转换器和电机控制等。
类型：N沟道
最大漏极电流：150A
最大漏源电压：60V
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ
最大功耗：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
2SK3876-01R具有低导通电阻的特点，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。
该器件采用了先进的沟槽技术，提供优良的热性能和高可靠性。
其高电流处理能力和宽工作温度范围使其适用于各种严苛的工作环境。
此外，该MOSFET具有快速开关特性，适合用于高频开关电路，以减少开关损耗并提高响应速度。
该器件的封装设计有助于良好的散热性能，从而提高器件的稳定性和寿命。
2SK3876-01R常用于电源供应器、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器以及各种高功率电子设备中。
它也适用于需要高效能和高可靠性的汽车电子系统，如电动车的电力管理系统。
在工业控制领域，该MOSFET用于高性能电源模块和自动化设备的电源管理。
此外，该器件也适用于太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换。
2SK3876, 2SK3876-01
