2SK3875 时间：2025/9/23 17:32:05 阅读：8

2SK3875是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管，主要用于高效率开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用领域。该器件采用先进的沟槽式硅栅极工艺制造，具备低导通电阻和优异的开关特性，能够有效降低功率损耗并提高系统整体效率。2SK3875通常封装在SMPD（双面散热）或类似的小型化表面贴装封装中，适用于对空间和热性能有较高要求的应用场景。其设计重点在于实现高电流处理能力与良好的热稳定性，在工作温度范围内能保持稳定的电气性能。此外，该MOSFET还具备较高的雪崩耐受能力和优良的抗噪声干扰特性，增强了在严苛工业环境下的可靠性。作为一款增强型场效应晶体管，2SK3875在栅极施加正向电压时导通，适合用于高频开关操作，广泛应用于通信设备电源模块、服务器电源单元及消费类电子产品中的电源管理系统中。

参数

型号：2SK3875
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大漏极电流（Id）：75A
　　导通电阻（Rds(on)）：12.8mΩ @ Vgs=10V, Id=37.5A
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　功耗（Pd）：200W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　输入电容（Ciss）：约6000pF @ Vds=25V
　　开启延迟时间（td(on)）：约20ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约40ns
　　封装形式：SMPD

特性

2SK3875具有多项突出的电气与结构特性，使其在众多功率MOSFET中表现出色。首先，其低导通电阻Rds(on)仅为12.8mΩ（在Vgs=10V条件下），显著降低了在大电流工作状态下的导通损耗，这对于提升电源转换效率至关重要。尤其是在同步整流拓扑结构中，这种低Rds(on)特性可以有效减少发热，延长系统寿命。
　　其次，该器件采用了优化的沟槽结构和硅栅技术，实现了快速开关响应能力。其开启延迟时间约为20ns，关断延迟时间为40ns左右，支持高达数百kHz甚至接近1MHz的开关频率运行，非常适合现代高频开关电源设计需求。同时，较低的栅极电荷（Qg）也减少了驱动电路的能量消耗，使得控制器更容易驱动该MOSFET，从而简化了外围电路设计。
　　再者，2SK3875具备出色的热性能。其采用SMPD封装，允许双面散热，极大提升了热传导效率。相较于传统单面散热封装，这种设计可更有效地将芯片产生的热量传递至PCB或散热器，避免局部过热导致的性能下降或失效风险。因此，在高功率密度应用场景下，如便携式电源、车载电子系统等，该封装优势尤为明显。
　　此外，该MOSFET还内置了一定程度的体二极管，具备一定的反向电流续流能力，并且具有较强的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中提供额外保护。这一特性提高了系统的鲁棒性，尤其适用于电机控制、电磁阀驱动等存在反电动势的场合。
　　最后，2SK3875的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，表明其不仅能在常温环境下稳定运行，也能适应极端高低温工况，适用于工业自动化、汽车电子等对环境适应性要求高的领域。综合来看，这些特性使2SK3875成为一款高性能、高可靠性的功率开关器件。

应用

2SK3875广泛应用于各类需要高效能、高电流开关能力的电力电子系统中。常见应用包括但不限于：开关模式电源（SMPS），特别是用于服务器、台式计算机和网络设备中的DC-DC降压变换器；同步整流电路中作为主开关或整流元件，以替代传统肖特基二极管，进一步提高转换效率；电机驱动系统，如无刷直流电机（BLDC）控制器或步进电机驱动器中的H桥结构，利用其快速开关特性和低导通损耗实现精准控制；此外，在电池供电系统、UPS不间断电源、光伏逆变器前端开关级以及电信整流模块中也有广泛应用。由于其支持高频率操作和良好的热管理能力，2SK3875特别适合紧凑型高功率密度电源设计。