时间：2025/5/14 19:04:45
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2SK3850是一种N沟道MOSFET功率晶体管，广泛应用于高频功率放大器、射频开关以及各种需要高增益和低噪声特性的电路中。该器件以其优异的线性特性、高击穿电压和低导通电阻而著称，适用于通信设备、工业电子和消费类电子产品领域。
最大漏源电压：140V
最大栅源电压：±20V
漏极电流（连续）：0.6A
脉冲漏极电流：2A
输出电容：490pF
输入电容：370pF
跨导：2700μS
功耗：18W
工作温度范围：-55℃至+150℃
2SK3850具有高增益、低噪声系数和出色的频率响应性能。其高频性能使其非常适合用于射频功率放大器设计，同时具备良好的热稳定性和可靠性。此外，该器件的封装形式通常为TO-3PF，便于散热处理，确保在高功率应用中的稳定性。
该晶体管还具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，能够承受一定的瞬态电压冲击。这使得2SK3850成为许多射频和高频应用的理想选择。
2SK3850主要应用于射频功率放大器、无线通信设备、雷达系统、卫星通信终端以及其他高频电子设备中。由于其优秀的线性特性，该器件也常用于音频功率放大器和宽带放大器的设计。此外，在工业控制和测试测量仪器中，2SK3850也可作为高性能开关元件使用。
2SK2913, 2SK2421
