时间：2025/8/20 22:51:54
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2SK3796-3-TL-E是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率开关应用。该MOSFET采用先进的U-MOS技术，具有低导通电阻和高速开关特性，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器和负载开关等场景。该器件采用SOT-23（小外形晶体管）封装，适合表面贴装，适用于小型化和高密度电路设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：100mA（最大值）
导通电阻（RDS(ON)）：1.2Ω（最大值，VGS=10V）
功耗（PD）：200mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT-23
2SK3796-3-TL-E MOSFET采用了东芝的U-MOS技术，具有非常低的导通电阻（RDS(ON)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。此外，该器件具备快速开关能力，使其适用于高频率的开关应用，例如DC-DC转换器、负载开关和电源管理电路。
该MOSFET的SOT-23封装形式使其体积小巧，适合用于空间受限的电路板设计，并且易于进行表面贴装，提高了制造效率。由于其良好的热稳定性和可靠性，该器件在工业控制、便携式设备和消费类电子产品中得到了广泛应用。
此外，2SK3796-3-TL-E具有较高的栅极绝缘强度，能够承受±20V的栅源电压，增强了器件在复杂电路环境下的稳定性。其工作温度范围较宽，可在-55°C至+150°C之间正常工作，适应各种极端工作环境。
2SK3796-3-TL-E主要用于需要高效能和小型化的电路设计中，如便携式电子设备的电源管理模块、小型DC-DC转换器、LED驱动电路以及各种低功率负载开关应用。此外，该MOSFET也可用于信号切换和逻辑控制电路，适用于工业自动化、通信设备和消费类电子产品中。
2SK2996, 2SK3018
