时间：2025/8/9 15:54:13
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2SK3789 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，适用于高频率开关应用。这款MOSFET设计用于在高效率电源转换系统中提供卓越的性能，如DC-DC转换器、AC-DC电源供应器和负载开关等。其封装形式通常为SOT-223，体积小巧，适合高密度电路设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：150V
连续漏极电流（Id）：3A
脉冲漏极电流（Idm）：12A
功率耗散（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-223
2SK3789具有低导通电阻的特点，可显著降低导通损耗，提高系统效率。它的快速开关特性使其适用于高频工作环境，减少开关损耗并提高系统响应速度。此外，该器件的热稳定性良好，能够在高温环境下稳定运行，提高了设备的可靠性。
该MOSFET的栅极驱动要求较低，能够兼容标准的逻辑电平控制，从而简化了驱动电路的设计。其SOT-223封装形式不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，适合紧凑型设计和高功率密度应用。
另外，2SK3789在设计上具有较强的抗过载能力，能够在短时间承受较高的电流负载而不损坏，增强了系统的鲁棒性。
2SK3789广泛应用于各类电源管理设备中，例如便携式电子设备的电源开关、DC-DC转换器、电池充电器和LED驱动器等。由于其高频特性，它也常用于无线充电系统和小型开关电源（SMPS）设计中。此外，该MOSFET还可以用于电机控制、负载开关和保护电路中，提供高效的功率控制解决方案。
Si2302DS, 2SK3018, 2SK2545
