时间：2025/8/9 13:25:44
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2SK3789-01R 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频开关应用。该MOSFET具有低导通电阻、高功率密度和良好的热稳定性，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及电机控制等场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流：10A
最大源极电流：10A
最大漏极电压：60V
最大栅极电压：±20V
导通电阻：0.27Ω（最大）
栅极电荷：13nC
工作温度范围：-55℃～150℃
2SK3789-01R 具备出色的电气性能和热性能，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
其低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高电流应用中保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。
此外，该器件的封装设计有助于快速散热，提高了MOSFET在高功率应用中的可靠性。
该MOSFET还具有快速开关特性，适用于高频开关电源和电机控制应用，有助于减小外围电路的尺寸和重量。
其栅极驱动特性优化，能够降低开关损耗，并减少驱动电路的复杂性。
2SK3789-01R 的封装形式为SOT-23，适用于表面贴装技术，便于自动化生产和电路板集成。
2SK3789-01R 主要用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、LED照明驱动电路、电池管理系统（BMS）以及各种高效率电源管理应用。
由于其高频特性，该MOSFET也适用于无线充电系统和小型逆变器电路。
在消费类电子产品中，它可用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等设备的电源管理系统。
在工业控制领域，该器件可用于PLC模块、传感器电源管理、自动化设备的驱动电路等场景。
此外，该MOSFET还可用于汽车电子系统中的DC-DC转换器和LED车灯驱动电路。
Si2302DS、2SK3019、2SK2313、IRLML6401、FDMS86101
