时间：2025/8/9 14:13:00
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2SK3779-01R是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频功率放大器和开关应用。该器件采用小型表面贴装封装（S-MINI），适用于便携式电子设备、无线通信设备以及高频电源转换器等对空间和性能有高要求的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100mA
耗散功率（Pd）：100mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：S-MINI
2SK3779-01R具有低导通电阻（Rds(on)）特性，使其在高频开关应用中能够实现高效能和低功耗。该器件的封装设计适用于表面贴装工艺，提升了组装效率和空间利用率。
此外，该MOSFET具有优异的高频响应能力，适用于射频（RF）功率放大器和小型开关电路。其栅极结构设计确保了稳定的开关性能，并减少了开关损耗。
由于采用了东芝先进的半导体制造技术，2SK3779-01R在高温工作条件下仍能保持良好的稳定性和可靠性，适用于对耐久性和性能要求较高的电子设备。
该MOSFET广泛应用于高频电子设备、无线通信模块、便携式电子产品和小型电源管理电路中。具体应用包括射频放大器、小型DC-DC转换器、信号开关电路以及需要高效功率管理的嵌入式系统。
2SK3779-01RL、2SK3779-01RM
