2SK3773 时间：2025/8/9 18:59:18 阅读：20

2SK3773是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝（Toshiba）公司生产。该器件专为高效率电源转换系统设计，适用于需要高电流和高电压操作的电路。MOSFET因其低导通电阻、快速开关特性以及良好的热稳定性，广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及各种功率电子设备中。2SK3773采用了东芝先进的U-MOS技术，提供了优异的导通性能和耐用性，使其在高负载应用中表现出色。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：600 V
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　连续漏极电流（Id）：10 A（在25°C）
　　功耗（Pd）：100 W
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45 Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220
　　栅极电荷（Qg）：45 nC（典型）
　　输入电容（Ciss）：1100 pF（典型）

特性

2SK3773的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压可达到600V，使其适用于高电压电源应用。该MOSFET的低导通电阻（Rds(on)）最大为0.45Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，其10A的额定漏极电流使其能够支持中高功率负载。该器件的栅极驱动要求较低，标准驱动电压为10V，使得与标准驱动IC的兼容性良好。
　　2SK3773的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，适合需要高效散热的高功率应用。其栅极电荷（Qg）为45nC，相对较低，有助于实现快速开关操作，从而减少开关损耗。此外，该器件的输入电容较低（1100pF），有助于提高高频响应能力，适用于开关电源（SMPS）等高频应用场景。
　　该MOSFET的可靠性和耐用性也值得称道，其工作温度范围为-55°C至+150°C，适合在各种环境条件下稳定工作。同时，其具备良好的雪崩能量承受能力，能够在过载或瞬态条件下提供额外的保护。

应用

2SK3773广泛应用于多种电源和功率控制电路中。由于其高耐压和中等电流能力，该器件常用于AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）、LED驱动器、电池充电器和DC-DC转换器等应用。在这些系统中，它能够作为主开关器件，实现高效的能量转换。
　　此外，2SK3773也可用于电机驱动和负载开关电路，例如在自动化控制设备、工业机器人和家用电器中。由于其良好的热稳定性和较低的导通损耗，它在长时间高负载运行的环境中表现尤为出色。
　　该器件还适用于需要高可靠性的工业和消费类电子产品，如UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及电能质量调节装置。在这些应用中，2SK3773可以提供稳定的开关性能，并有助于提高系统的整体效率。