时间：2025/8/8 18:16:39
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2SK3772是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率开关和功率放大器应用。该器件采用TO-220封装，具备良好的热稳定性和较高的耐压能力，适用于各种电源管理和功率转换电路。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：11A
导通电阻(Rds(on))：0.047Ω @ Vgs=10V
最大耗散功率(Pd)：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
2SK3772具备低导通电阻，能够在高电流条件下保持较低的功率损耗，提高整体效率。其快速开关特性使其适用于高频开关电源和DC-DC转换器。
此外，该器件具有良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在高温环境下稳定工作。栅极驱动电压范围较宽，支持4V至10V的驱动电压，适用于多种驱动电路设计。
该MOSFET还具备较强的短路耐受能力，有助于在异常工况下保护电路。其TO-220封装形式便于安装和散热管理，适用于各种高功率应用场合。
2SK3772常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、功率放大器、电池管理系统以及各种高功率负载控制电路中。其优异的性能也使其适用于LED照明驱动、电源适配器和工业控制设备。
IRFZ44N, FDPF4N60, 2SK3771
